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磷化鎵晶片GaP
北京特博萬德提供2寸111晶向磷化鎵InP晶片?？商峁╇p拋。
磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，化學(xué)鍵是以共價(jià)鍵為主的混合鍵，屬于間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他寬帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費(fèi)米能級(jí)接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料，是LED主要襯底材料之一。
磷化鎵外延材料是在磷化鎵單晶襯底上通過液相外延或汽相外延加擴(kuò)散生長的方法制得。多用于制造發(fā)光二極管。液相外延材料可制造紅色、黃綠色、純綠色光的發(fā)光二極管，汽相外延加擴(kuò)散生長的材料，可制造黃色、黃綠色光的發(fā)光二極管。
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磷化鎵外延材料是在磷化鎵單晶襯底上通過液相外延或汽相外延加擴(kuò)散生長的方法制得。多用于制造發(fā)光二極管。液相外延材料可制造紅色、黃綠色、純綠色光的發(fā)光二極管，汽相外延加擴(kuò)散生長的材料，可制造黃色、黃綠色光的發(fā)光二極管。
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Growth Method |
LEC |
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|
Type/Dopant |
Un |
N/S |
P/Te |
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Diameter |
2inch |
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Orientation |
111 |
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|
Surface |
Polished/Etched |
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Package |
single |
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Size |
2inch |
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|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
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Thickness(um) |
250±25, 280±25 |
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OF(mm) |
16±2 |
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Electrical parameters |
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Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC (/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
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Un |
N |
（0.9-3）E17 |
>100 |
/ |
≤3×E5 |
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|
S- GaP |
N |
（2-7）E17 |
>100 |
/ |
≤3×E5 |
|
|
Te- GaP |
P |
（2-7）E17 |
>100 |
/ |
≤3×E5 |
|