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砷化銦晶片InAs
北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。
尺寸：2,3英寸； 闡述：InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù)，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長(zhǎng)3.34μm，在InAs襯底上能生長(zhǎng)晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
應(yīng)用：InAs可以生長(zhǎng)InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，制作波長(zhǎng)2-12μm的紅外發(fā)光器件。
用InAs單晶襯底還可以外延生長(zhǎng)InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料，制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外，InAs單晶具有很高的電子遷移率，是一種制作Hall器件的理想材料。
北京特博萬德供應(yīng)砷化銦InAs 晶片。 尺寸：2,3英寸； 闡述：InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應(yīng)和小的電阻溫度系數(shù)，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的發(fā)射波長(zhǎng)3.34μm，在InAs襯底上能生長(zhǎng)晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測(cè)器。
應(yīng)用：InAs可以生長(zhǎng)InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，制作波長(zhǎng)2-12μm的紅外發(fā)光器件。
用InAs單晶襯底還可以外延生長(zhǎng)InAsPSb超晶格結(jié)構(gòu)材料，制作中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。此外，InAs單晶具有很高的電子遷移率，是一種制作Hall器件的理想材料。
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Growth Method |
VGF |
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|
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
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|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
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|
Orientation |
100/111 |
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|
Surface |
Polished/Etched |
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|
Epi-ready |
Yes |
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|
Package |
single |
||||||
|
|
|||||||
|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||||
|
Thickness(um) |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
|
BOW(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||||
|
|
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|
Electrical parameters |
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Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
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Undoped |
N |
5E16 |
＞3E4 |
/ |
<5E4 |
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|
S-InAs |
N |
（1~10）E17 |
（0.6~2）E4 |
/ |
<5E4 |
||
|
Sn-InAs |
N |
（5~20）E17 |
(0.7~2) E4 |
/ |
<5E4 |
||
|
Zn-InAs |
P |
(1~10）E18 |
100~400 |
/ |
<5E4 |
||