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銻化銦晶片InSb
北京特博萬德供應(yīng)2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高，是良好的紅外探測(cè)器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如，對(duì)應(yīng)于大氣透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面，InSb器件的位數(shù)已達(dá)128×128陣列。3～5μm波段InSb光伏探測(cè)器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展，并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。
北京特博萬德供應(yīng)2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
InSb單晶電子遷移率高，是良好的紅外探測(cè)器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如，對(duì)應(yīng)于大氣透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
另外在電荷注入器件方面，InSb器件的位數(shù)已達(dá)128×128陣列。3～5μm波段InSb光伏探測(cè)器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發(fā)展，并已作成元數(shù)較多的兩維陣列。
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Growth Method |
VGF |
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Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
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Diameter |
2inch/3inch |
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Orientation |
100 |
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|
Surface |
Polished/Etched |
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Epi-ready |
Yes |
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|
Package |
single |
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Size |
2inch |
3inch |
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|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
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|
Thickness(um) |
500±25 |
650±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<15 |
||||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
||||
|
Electrical parameters |
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Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
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Undoped |
N |
（5-10）E13 |
（0.5-2）E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
|
Te |
N |
（1-1000）E14 |
（0.2-1）E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
|
Ge |
P |
（0.5-5）E15 |
4000-8000 |
/ |
≤200or≤500 |
|