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碳化硅晶片SiC
北京特博萬(wàn)德供應(yīng)2,3,4,6英寸，切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅（SiC）是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度（約為硅的3倍）、高臨界場(chǎng)強(qiáng)（約為硅的10倍）、高熱導(dǎo)率（約為硅的3倍）等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導(dǎo)體材料。同時(shí)，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
北京特博萬(wàn)德供應(yīng)2,3,4,6英寸，切割小塊的SiC碳化硅晶片。
碳化硅（SiC）是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度（約為硅的3倍）、高臨界場(chǎng)強(qiáng)（約為硅的10倍）、高熱導(dǎo)率（約為硅的3倍）等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導(dǎo)體材料。同時(shí)，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。
目前我們還提供標(biāo)準(zhǔn)的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的制作。這些電力電子器件可廣泛應(yīng)用于包括太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
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等級(jí) Grade |
工業(yè)級(jí)Production |
研究級(jí)Research grade |
試片級(jí)Dummy Grade |
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|
直徑 |
50.8 mm±0.38 mm（2英寸） |
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|
厚度 |
330 μm±25μm |
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|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
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|
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
15.9 ±1.7 |
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|
次定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
8.0 ±1.7 |
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|
次定位邊方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
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|
邊緣 |
1 mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤25 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
|
裂紋(強(qiáng)光燈觀測(cè)) # |
None |
None |
1 allowed， ≤1 mm |
||
|
六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩邊# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)） |
None |
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|
等級(jí) Grade |
工業(yè)級(jí)Production |
研究級(jí)Research grade |
試片級(jí)Dummy Grade |
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| 直徑 | 76.2±0.38mm（3英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
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|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
|
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
22.2 mm±3.2 mm |
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|
次定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
11.2 mm±1.5 mm |
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|
次定位邊方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
|
邊緣 |
2 mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤35 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
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|
裂紋(強(qiáng)光燈觀測(cè)) # |
None |
1 allowed，≤1 mm |
1 allowed， ≤2 mm |
||
|
六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩邊# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)） |
None |
||||
|
等級(jí) Grade |
工業(yè)級(jí)Production |
研究級(jí)Research grade |
試片級(jí)Dummy Grade |
||
|
直徑 |
100±0.5mm（4英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
|
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
32.5±2.5mm | ||||
|
次定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
18.0±2mm | ||||
|
次定位邊方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
|
邊緣 |
3mm |
||||
|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤40 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
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|
裂紋(強(qiáng)光燈觀測(cè)) # |
None |
1 allowed，≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm，single length≤2mm |
||
|
六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩邊# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)） |
None |
||||
|
等級(jí) Grade |
工業(yè)級(jí)Production |
研究級(jí)Research grade |
試片級(jí)Dummy Grade |
||
| 直徑 | 150±2.0mm（6英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
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|
電阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
|
|
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
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|
主定位邊方向 |
{10-10}±5.0° |
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|
主定位邊長(zhǎng)度 (mm) |
47.5 mm±2.5 mm |
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|
邊緣 |
3mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤40 /≤60 |
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|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
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|
CMP Ra≤0.5 nm |
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|
裂紋(強(qiáng)光燈觀測(cè)) # |
None |
1 allowed，≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm，single length≤2mm |
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|
六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
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|
多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
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|
崩邊# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)） |
None |
||||