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銻化鎵晶片GaSb
北京特博萬德供應2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。
銻化鎵（GaSb）是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導體材料，是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料；非制冷中長波紅外探測器具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優(yōu)點；該產(chǎn)品廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池。
它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數(shù)相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長波長(8 ～ 14)μm 范圍的探測器。
GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如制作多種用途的紅外探測器件及火箭和監(jiān)視系統(tǒng)中的紅外成像器件, 用于火災報警和環(huán)境污染檢測的傳感器, 監(jiān)測工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。
北京特博萬德供應2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。
銻化鎵（GaSb）是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導體材料，是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料；非制冷中長波紅外探測器具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優(yōu)點；該產(chǎn)品廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池。
它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數(shù)相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長波長(8 ～ 14)μm 范圍的探測器。
GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如制作多種用途的紅外探測器件及火箭和監(jiān)視系統(tǒng)中的紅外成像器件, 用于火災報警和環(huán)境污染檢測的傳感器, 監(jiān)測工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。
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Growth Method |
VGF |
||||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/Te |
P/Zn |
||||
|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||||
|
Orientation |
100/111 |
||||||
|
Surface |
Polished/Etched |
||||||
|
Epi-ready |
Yes |
||||||
|
Package |
single |
||||||
|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||||
|
Thickness(um) |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<10 |
<20 |
||||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
<20 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<20 |
||||
|
Electrical parameters |
|||||||
|
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (?·cm) |
EPD(/cm3) |
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Undoped |
P |
（1~2）E17 |
600~700 |
/ |
<1E3 |
||
|
Te- GaSb |
N |
（1~20）E17 |
2000~3500 |
/ |
<1E3 |
||
|
Zn- GaSb |
P |
(5~100）E17 |
200~500 |
/ |
<1E3 |
||