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磷化銦晶片InP
北京特博萬(wàn)德供應(yīng)磷化銦InP晶片。
尺寸：2寸，3寸，4寸； 表面：?jiǎn)螔仭㈦p拋； 厚度：350um、500um、625um等；
闡述：磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料，具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點(diǎn)；
應(yīng)用：制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽(yáng)能電池、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。
北京特博萬(wàn)德供應(yīng)磷化銦InP晶片。 尺寸：2寸，3寸，4寸； 表面：?jiǎn)螔?、雙拋； 厚度：350um、500um、625um等；
闡述：磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料，具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點(diǎn)；
應(yīng)用：制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽(yáng)能電池、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。
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Growth Method |
VGF |
||||
|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
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|
Orientation |
<100> ±0.5° |
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|
Surface |
Polished/Etched |
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|
Epi-ready |
Yes |
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|
Package |
Cassette or single |
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|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||
|
Thickness(um) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||
|
TTV(um) |
<10 |
<15 |
<15 |
||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
|
|
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|
Electrical parameters |
|||||
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Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity （?·cm） |
EPD(/cm3) |
|
Undoped |
N |
3E16 |
>1700 |
/ |
<5E4 |
|
S-InP |
N |
（0.5~5）E18 |
（1~4）E3 |
/ |
<5E4 |
|
Fe-InP |
N |
（0.1~1）E8 |
>1700 |
>1E7 |
<5E4 |
|
Zn-InP |
P |
(0.6~6）E18 |
>50 |
/ |
<5E4 |