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北京特博萬德科技
單晶硅片

單晶硅片

北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型單晶硅片，以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。

 生長方式：直拉（CZ）、MCZ等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非標直徑及異形硅片；
 表面：單拋、雙拋、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：＞1mm；

 導(dǎo)電類型：N型、P型、本征半絕緣；

 電阻率：重摻雜＜0.0015Ω.cm，輕摻雜1~100Ω.cm，非摻>1000~＞20000Ω.cm；

 用途：各種指標，滿足各種應(yīng)用。如：PVD/CVD/熱氧化/氮化等鍍膜用襯底；磁控濺射生長樣品；分子束外延生長的基底；SEM掃描電鏡、透射電鏡、原子力AFM、拉曼光譜、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底；X射線分析；刻蝕、鍵和、光學(xué)透過、透鏡、器件等；

 工藝：可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜（銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni）；
 供貨能力：大量庫存現(xiàn)貨，種類齊全，當(dāng)天發(fā)貨！
 加工能力：各種規(guī)格可加工，為客戶量身定制！工期短！


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商品描述

北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型單晶硅片，以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。

 生長方式：直拉（CZ）、MCZ等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非標直徑及異形硅片；
 表面：單拋、雙拋、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：＞1mm；

 導(dǎo)電類型：N型、P型、本征半絕緣；

 電阻率：重摻雜＜0.0015Ω.cm，輕摻雜1~100Ω.cm，非摻>1000~＞20000Ω.cm；

 用途：各種指標，滿足各種應(yīng)用。如：PVD/CVD/熱氧化/氮化等鍍膜用襯底；磁控濺射生長樣品；分子束外延生長的基底；SEM掃描電鏡、透射電鏡、原子力AFM、拉曼光譜、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底；X射線分析；刻蝕、鍵和、光學(xué)透過、透鏡、器件等；

 工藝：可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜（銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni）；
 供貨能力：大量庫存現(xiàn)貨，種類齊全，當(dāng)天發(fā)貨！
 加工能力：各種規(guī)格可加工，為客戶量身定制！工期短！

單晶硅棒
1-12寸單晶硅片 超薄硅片 超厚硅片



生長方式

區(qū)熔（FZ）、中子輻照區(qū)熔（NTDFZ）等

直徑

2英寸、3英寸

4英寸、5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111><110>

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>

<100><111><110>

<100>

厚度（um）

25um,50,280,400,500,1000,2000,
as required

20um,100um, 200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,
as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

電阻率（Ω.cm）

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001 ,>1,>100,>1000,>10000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTV（um）

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5，更小

Bow（um）

<20

<30

<30

<40

<40

Warp（um）

<30

<40

<40

<50

<50

粗糙度（n m）

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

顆粒度

<20@0.3as required

<20@0.3as required

<20@0.3as required

<20@0.3，as required

<20@0.3，as required