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FZ區(qū)熔高阻硅片

FZ區(qū)熔高阻硅片

北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型高阻硅片，以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。

 生長方式：區(qū)熔（FZ）、中子輻照區(qū)熔（NTDFZ）等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非標直徑及異形硅片；
 表面：單拋、雙拋、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：1mm、2mm、5mm等；

 導(dǎo)電類型：非摻雜半絕緣；
 電阻率：＞1Ω.cm，>1000Ω.cm，>3000Ω.cm， >5000Ω.cm， >10000Ω.cm，> 20000 Ω.cm；
 用途：紅外光學(xué)、太赫茲領(lǐng)域；整流器、場效應(yīng)管、功率集成電路、射頻、超高壓二極管、傳感器等；
 工藝：可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜（銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni）；
 供貨能力：大量庫存現(xiàn)貨，種類齊全，當天發(fā)貨！
 加工能力：各種規(guī)格可加工，為客戶量身定制！工期短！

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商品描述

北京特博萬德加工、供應(yīng)各種類型高阻硅片，以及苛刻要求的高質(zhì)量硅片。

 生長方式：區(qū)熔（FZ）、中子輻照區(qū)熔（NTDFZ）等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非標直徑及異形硅片；
 表面：單拋、雙拋、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：1mm、2mm、5mm等；

 導(dǎo)電類型：非摻雜半絕緣；
 電阻率：＞1Ω.cm，>1000Ω.cm，>3000Ω.cm， >5000Ω.cm， >10000Ω.cm，> 20000 Ω.cm；
 用途：紅外光學(xué)、太赫茲領(lǐng)域；整流器、場效應(yīng)管、功率集成電路、射頻、超高壓二極管、傳感器等；
 工藝：可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜（銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni）；
 供貨能力：大量庫存現(xiàn)貨，種類齊全，當天發(fā)貨！
 加工能力：各種規(guī)格可加工，為客戶量身定制！工期短！
高阻硅棒 透過曲線圖 太赫茲曲線圖
XRD圖




直徑

2英寸、3英寸

4英寸、5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>

<100>

厚度（um）

>50,280,400,500,1000,2000,as required

200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

電阻率（Ω.cm）

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
 as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTV（um）

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5，更小

Bow（um）

<20

<30

<30

<40

<50

Warp（um）

<30

<40

<40

<50

<50

粗糙度（n m）

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

顆粒度

<20@0.3

<20@0.3

<20@0.3

<20@0.3

<50@0.3