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藍(lán)寶石襯底
北京特博萬德供應(yīng)藍(lán)寶石sapphire晶片。
尺寸：2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊； C向、M向、R向；單拋、雙拋； 厚度：100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm； 闡述：藍(lán)寶石是氧化鋁的單晶，是自然界里硬度第二的材料，僅次于鉆石。藍(lán)寶石具有良好的透光性，高強(qiáng)度、抗碰撞阻力，耐磨性，抗腐蝕及抗高溫高壓，生物相容性，可以做成各種形狀的物體。是制作半導(dǎo)體光電子器件的一種理想襯底材料。 應(yīng)用：藍(lán)寶石單晶是一種優(yōu)良的多功能材料?？梢詮V泛應(yīng)用于工業(yè)，國防和科研等多個領(lǐng)域（如耐高溫紅外窗口）。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當(dāng)前藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管（LED）和藍(lán)光激光器（LD）工業(yè)的先選基片（需要在藍(lán)寶石基片上外延氮化鎵膜層），也是重要的超導(dǎo)薄膜基片。除了可以制作Y-系，La-系等高溫超導(dǎo)薄膜外，還可以用于生長新型實用MgB2（二硼化鎂）超導(dǎo)薄膜。
北京特博萬德供應(yīng)藍(lán)寶石sapphire晶片。 尺寸：2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊； C向、M向、R向；單拋、雙拋； 厚度：100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm； 闡述：藍(lán)寶石是氧化鋁的單晶，是自然界里硬度第二的材料，僅次于鉆石。藍(lán)寶石具有良好的透光性，高強(qiáng)度、抗碰撞阻力，耐磨性，抗腐蝕及抗高溫高壓，生物相容性，可以做成各種形狀的物體。是制作半導(dǎo)體光電子器件的一種理想襯底材料。 應(yīng)用：藍(lán)寶石單晶是一種優(yōu)良的多功能材料?？梢詮V泛應(yīng)用于工業(yè)，國防和科研等多個領(lǐng)域（如耐高溫紅外窗口）。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當(dāng)前藍(lán)、紫、白光發(fā)光二極管（LED）和藍(lán)光激光器（LD）工業(yè)的先選基片（需要在藍(lán)寶石基片上外延氮化鎵膜層），也是重要的超導(dǎo)薄膜基片。除了可以制作Y-系，La-系等高溫超導(dǎo)薄膜外，還可以用于生長新型實用MgB2（二硼化鎂）超導(dǎo)薄膜。
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晶向 |
C（0001） |
R（1-102） |
M(10-10) |
A（11-20） |
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物理性能 |
C軸均有晶光性，其他軸具有負(fù)光性；C面為平面，最好切。 |
比A稍難切。 |
M面為階梯鋸齒狀，不好切，容易切裂。 |
A向硬度明顯高于C向，具體表現(xiàn)在耐磨，耐刮，硬度高；A面為Z型鋸齒狀面，比較好切； |
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應(yīng)用 |
C向的藍(lán)寶石基底被用于生長III-V 與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產(chǎn)出藍(lán)色的LED產(chǎn)品、激光二極管以及紅外線探測儀的應(yīng)用。 |
R向基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應(yīng)用于微電子集成電路。 此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導(dǎo)組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應(yīng)用R型基底生長。 |
主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜，以提高發(fā)光效率。 |
A向基底產(chǎn)生統(tǒng)一的電容率/介質(zhì)，并且高度絕緣被應(yīng)用于混合微電子技術(shù)中。高溫的超導(dǎo)體可由A型基底長晶產(chǎn)生。 |
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加工能力 |
圖案化藍(lán)寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡稱PSS)：以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式，在藍(lán)寶石基板上設(shè)計制作出納米級特定規(guī)則的微結(jié)構(gòu)圖案藉以控制LED之輸出光形式，并可同時減少生長在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，改善磊晶質(zhì)量，并提升LED內(nèi)部量子效率、增加光萃取效率。 此外，可按客戶要求加工定制藍(lán)寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺等各種結(jié)構(gòu)件。 |
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性質(zhì)說明 |
密度 |
硬度 |
熔點 |
折射率（可見光和紅外波段） |
透光率（雙拋） |
介電常數(shù) |
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3.98g/cm3 |
9(mohs) |
2053℃ |
1.762~1.770 |
≥85% |
11.58@300K at C axis(9.4 at A axis） |
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