-
歡迎光臨 北京特博萬德科技有限公司 企業(yè)官網(wǎng)！
離子注入機
北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
法國IBS公司成立于1987年，在近30年的時間里，一直致力于離子注入領域的研發(fā)、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國，公司的創(chuàng)始人是來自法國軍方的技術專家，在他帶領下，整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力，嚴謹?shù)驼{的作風保證了設備的高質量和超強的穩(wěn)定性。盡管如此，IBS公司在世界范圍內已經(jīng)銷售超過100臺注入機，可以預見在未來幾年，IBS產品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。
產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。
主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。
北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
法國IBS公司成立于1987年，在近30年的時間里，一直致力于離子注入領域的研發(fā)、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國，公司的創(chuàng)始人是來自法國軍方的技術專家，在他帶領下，整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力，嚴謹?shù)驼{的作風保證了設備的高質量和超強的穩(wěn)定性。盡管如此，IBS公司在世界范圍內已經(jīng)銷售超過100臺注入機，可以預見在未來幾年，IBS產品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。
產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。
主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。
型號 | IMC200 | 型號 | PULSION |
應用 | 設備主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能 | 優(yōu)勢 | ü3D浸沒式全方位離子注入，不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制 ü可靠性高，氣體消耗量低，易于維護，成本低； ü獨特的脈沖等離子體配置和偏振技術，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩(wěn)定性高，可以實現(xiàn)保形處理； ü能夠以較小的占地面積處理大型部件； ü工藝時間短：工藝時間與待注入的機械部件的大小無關，即使要求的注入量非常高； ü可按照用戶要求定制； ü有全自動、工程和手動模式，工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝； ü工藝recipe可編輯，工藝參數(shù)可監(jiān)測、控制和記錄，可查看報警歷史。 |
注入晶圓尺寸 | 6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不規(guī)則小片，最小可注入1 cm2的樣品。 | 原理 | 把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并完全浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時，開始注入。 |
注入能量范圍 | 單價離子30KeV～200KeV，可升級二價/三價離子注入，注入能量可升級到400 KeV/600 KeV。 | 應用 | ü改善表面機械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞； ü提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能； ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等； ü提高生物相容性； ü逸出功工程； ü用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構； ü加氫（Hydrogenation），吸氣（gettering）。 |
注入角度 | 0°、7°，可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。 | 加速電壓 | 1 kV ~ 10 kV |
注入劑量范圍 | 1×1011 at/cm2 ～ 1×1018 at/cm2 | 標準注入電流 | 5 mA ~ 100 mA (N2) |
注入均勻性 | ü4”片內、片間1σ ≤ 1.0 % （注入條件：4英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2.）； ü6”片內、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2） | 標準注入時間 | 30 min ~ 3 h |
真空度 | ü離子源：≥ 2×10-6 mbar（2 x10-4 Pa）； ü束流管：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5 Pa）； ü 靶室：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5Pa）； ü離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學干泵，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。 | 可注入選項 | N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si... |
最大注入束流 | ü11B單價離子：≥ 600μA； ü 31P單價離子：≥ 1500μA； ü75As單價離子：≥ 1500μA。 （注入條件：6”晶圓，注入能量120KeV～200KeV）。 | 注入部件尺寸 | ≤ 400 mm×400 mm×200 mm |
離子源氣路系統(tǒng) | 包含5路氣體：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面，能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。 | 輻射 | 在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h |
軟件功能 | 包括但不限于：權限管理、參數(shù)管理、手動控制、實時數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報警管理等。軟件可根據(jù)需求免費更新升級。 | 注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 |
腔室氣壓 | < 5×10-6 mbar | ||
設備尺寸 | 1.6×2.15×2.3m（標準型）；2.15×2.15×2.3m（加大型） | ||
輻射 | 在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h | ||
注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 | ||
離子輻射滿足國際相應標準，具有CE認證。 | |||