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二、硅外延生長工藝的優(yōu)點

1、 生長溫度比它本身的熔點要低；
2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層；
3、 由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結構的調整。

三、硅外延工藝的分類

1、 按結構分類

   同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同，例如N/N+，P/P+；
   異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同，例：SOI(絕緣襯底上外延)。
2、 按外延層的厚度和電阻率分類
  厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制。
3、 按外延生長方法分類
  直接法——不經(jīng)過中間化學反應，硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外延層，例：真空濺射法，分子束外延（物理法）液相外延等等；
  間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在襯底上淀積形成外延層，我們的硅外延就屬于間接生長工藝。

四、硅外延的基本原理

硅化學氣相沉積外延生長其原理是在高溫（＞1100℃）的襯底上輸送硅化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氫（H2）在襯底上通過還原反應析出硅方法。
氣相外延生長過程包括：
（1）反應劑（SiCl4或SiHCl3+H2）氣體混合物質量轉移到襯底表面；
（2）吸收反應劑分子在表面上（反應物分子穿過附面層向襯底表面遷移）；
（3）在表面上進行反應得到硅原子及其副產(chǎn)物；
（4）釋放出副產(chǎn)物分子；
（5）副產(chǎn)物分子向主氣流質量轉移；（排外）
（6）硅原子先在生長層表面形成原子集團——晶核，接著加接到晶核上，使晶核增大，形成新的晶面。

Certificate

Substrate

Epi

Diameter (mm)

Φ76.2+/-0.5

Type/Dopant

N/PH

Type/Dopant

P/Boron

Epi Resistivity（Ω.cm） 

0.003-0.005

Orientation

<111>

Epi Thickness(μm)

25-30

Thickness（μm )

355-407

Surface

Good

Resistivity（Ω.cm） 

0.004-0.008

Qty

25PCS