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低應(yīng)力氮化硅片

低應(yīng)力氮化硅片

北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片，大量現(xiàn)貨。
尺寸： 2，3，4，6英寸；
 工藝： LPCVD；LPCVD具有均勻性好，應(yīng)力低，成膜質(zhì)量好等優(yōu)點，成本也較高；
 氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
 表面：單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化；
 硅片厚度：200um，500um等多種厚度；
 應(yīng)用：鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度，防止硅片翹曲，并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域；
 供貨能力：大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全；當(dāng)天出庫；
 訂制能力： 各種參數(shù)均可訂制。

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商品描述

北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片，大量現(xiàn)貨。
尺寸： 2，3，4，6英寸；
 工藝： LPCVD；LPCVD具有均勻性好，應(yīng)力低，成膜質(zhì)量好等優(yōu)點，成本也較高；
 氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
 表面：單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化；
 硅片厚度：200um，500um等多種厚度；
 應(yīng)用：鈍化膜、絕緣層、擴(kuò)散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強(qiáng)度，防止硅片翹曲，并能抑制微缺陷形成。用于半導(dǎo)體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域；
 供貨能力：大量現(xiàn)貨、參數(shù)齊全；當(dāng)天出庫；
 訂制能力： 各種參數(shù)均可訂制。












上圖：不同膜厚的氮化硅片展示圖


下表：技術(shù)參數(shù)規(guī)格

直徑

2英寸

3英寸

4英寸

6英寸

導(dǎo)電類型

P,N

P,N

P,N,U n

P,N,U n

晶向

<100>

<100>

<100>

<100>

厚度（um）

400,500 as required

200,380 as required

200,300,450,380,500,525 as required

625 as required

表面

單拋雙面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化,

單拋單面氮化,

雙拋雙面氮化

單拋雙面氮化

氮化層SiN厚度

200nm,500nm,1um as required

>50nm as required

50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required

100nm,120nm  as required

電阻率（Ω.cm）

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000